上海禾早電子科技有限公司
   集科研、生產、銷售與一體的專業性廠家

設為首頁 | 收藏本站

      科技驅動技術

Innovation-driven technology

       

搜索
產品詳情

GVC-2000磁控濺射儀

GVC-2000磁控濺射儀
品牌 : Microhezao
型號 : GVC-2000
產品詳情
技術參數
儀器特點

  磁控離子濺射儀為掃描電鏡用戶在制樣過程中提供了更廣泛的選擇,以便適用支持掃描電子顯微鏡所需的涂層要求。磁控濺射的原理是,在電場內在疊加一個磁場,這樣電子在疊加場內做螺旋運動,行程很長,每個電子電離的氣體分子比直流多很多很多,所以可以在低電壓下,有較好的真空度。濺射產生同樣的鍍膜效果。但是因為磁控真空度相對高,所以鍍膜的顆粒小,膜層附著力好,靶材的利用率也高。   在直流濺射過程中,樣品的溫升主要來自于負離子在電場作用下對樣品的轟擊,在磁控濺射中,負離子都被磁場束縛了,所以基本沒有對樣品的轟擊,所以溫升基本沒有,很適合溫度敏感性的樣品制備。

磁控低電壓為600V,直流等離子電壓為2400V.

磁控真空度為3Pa,直流等離子真空度為7-10Pa。

濺射技術

  在電子顯微鏡領域內,往往需要對樣品進行表面鍍膜從而使樣品表面成像或者圖像質量得到改善。在樣品表面覆蓋一層導電的金屬薄膜可以消除荷電反應,降低電子束對樣品表面的熱量損傷,可以提高SEM對樣品進行形貌觀察,所需要的二次電子信號量。噴金后可以提供二次電子產額,提升信號強度和圖像質量。

               

    濺射電流12mA,濺射時間10s        濺射電流10mA,濺射時間20s              濺射電流12mA,濺射時間30s       濺射電流10mA,濺射時間60s   

系統特點:

○ 儀器采用微處理器控制,自動化程度高精確控制、易于操作;

○ 低電壓、較好真空度下的實現大電流濺射,可濺射金、銀、銅、鉑等常用金屬靶材;

○ 金膜顆粒絕大多數<10nm,顆粒更細,均勻度更好,附著力更強,觀測效果更佳;

○   靶材利用率更高,磁控濺射靶材利用率為直流濺射的2倍,為用戶節約靶材費用.

○ 電子和負離子被磁場束縛在靶材附近,鍍膜過程中基本沒有溫升,適用溫度敏感性樣品;

○ 采用微處理器控制,擴展性能好,可實時顯示真空度、濺射電流、濺射時間、設備運行時間、靶材使用時間等,方便了解設備情況,具備過流、真空保護功能,安全可靠;

○ 內置用戶使用向導和說明書,方便用戶 操作;內置膜厚估算公式,便于用戶了 解鍍膜狀態;

                                  





  

指 標 參 數

外形尺寸: 424× 290×2 65 (mm)

工作電壓: 200-240VAC 50H z

濺射電壓: DC 600V

控制模式: 微處理器控制

最大功率: 450W

濺射電流: ≤45 mA

濺射時間: ≤600s

極限真空 : 0.1Pa

工作真空: ≤30Pa

膜層厚度: 內置膜厚估算(金靶)

真空測量: 電阻規

真空 速 率: 1L/s





系統特點:

○ 儀器采用微處理器控制,自動化程度高精確控制、易于操作;

○ 低電壓、較好真空度下的實現大電流濺射,可濺射金、銀、銅、鉑等常用金屬靶材;

○ 金膜顆粒絕大多數<10nm,顆粒更細,均勻度更好,附著力更強,觀測效果更佳;

○   靶材利用率更高,磁控濺射靶材利用率為直流濺射的2倍,為用戶節約靶材費用.

○ 電子和負離子被磁場束縛在靶材附近,鍍膜過程中基本沒有溫升,適用溫度敏感性樣品;

○ 采用微處理器控制,擴展性能好,可實時顯示真空度、濺射電流、濺射時間、設備運行時間、靶材使用時間等,方便了解設備情況,具備過流、真空保護功能,安全可靠;

○ 內置用戶使用向導和說明書,方便用戶 操作;內置膜厚估算公式,便于用戶了 解鍍膜狀態;


友情鏈接